Kupfersäulen für das Wafer Level Packaging

Die fortschrittliche Packaging-Roadmap verlangt nach kleineren Pitches und Bump-Durchmessern bei gleichbleibender Gehäusehöhe. Cu-Pillar-Bumping kann die Nachfrage nach einer Verfeinerung der Gehäusegröße mit besserer Elektromigrationsleistung erfüllen, zusammen mit anderen Vorteilen wie RoHS-Konformität, höherer Kosteneffizienz und kürzeren Zykluszeiten.

PacTech bietet Lösungen für Fine-Pitch-Flip-Chips und WLCSP mit Cu-Pillar-Bumps an. Unser Cu-Pillar-Sortiment umfasst verschiedene Oberflächen mit individuellen Vorteilen:

  • Cu Pillar X1 – Basis Cu Pillar für Fine Pitch Flip Chip
  • Cu Pillar X2 – Cu Pillar mit Lötkappe für bessere Compliance
  • Cu Pillar X3 – Cu Pillar mit Ni-Diffusionssperre
  • Cu Pillar X3en – Cu Pillar mit ENIG-Oberfläche für verbesserte Lötbarkeit und Korrosionsbeständigkeit

Unsere Cu-Säulen sind optional mit Passivierung wie PI erhältlich und eignen sich für verschiedene Anwendungen wie 5G & RF, Automotive, Consumer, Power Controller und Sensor.

Copper Pillar

WAFER LEVEL PACKAGING-Dienstleistungen

Elektrische Beschichtung

Die Galvanotechnik oder elektrochemische Abscheidung ist ein Verfahren, bei dem ein Gegenstand auf einem beliebigen Substrat mit einer Metallschicht beschichtet wird. RDL und Kupfersäulen zum Beispiel gehören zu diesem Verfahren.

Chemische Beschichtung

Kostengünstige, maskenlose chemische Abscheidung verschiedener Metalle auf der Waferoberfläche, die als intermetallische Verbindung dienen oder die Zuverlässigkeit und Leistung des Produkts verbessern.

Laserunterstütztes Bonden

Das lasergestützte Bonden ist ein Verbindungsverfahren, bei dem zwei Materialoberflächen mit Hilfe von Laserenergie miteinander verbunden werden.

Solder Balling

Verschiedene Technologien zur Lotabscheidung zur Bildung von Lotkugeln für WLCSP- und Flip-Chip-Verbindungen.

Montage von Bauteilen auf Wafer-Ebene

Montage auf Wafer-Ebene durch Aufbringen von Chips oder verschiedenen passiven Komponenten auf der Wafer-Oberfläche.

Wafer-Ausdünnung

Ausdünnen der Waferrückseite für Stanzformen in der Endverpackung.

Wafer-Metallbeschichtung

Anwendung verschiedener Metallbeschichtungen durch Aufdampfen oder Sputtern auf der Waferrückseite zur Verbesserung der Chipleistung.

Wafer-Dicing

Hochpräzise und genaue Vereinzelung von Chips auf einem Wafer.