铜柱服务

随着先进封装技术的发展,业界对封装尺寸的需求不断提高,要求更小的间距和凸点直径,同时还要保持相同的封装高度。铜柱凸起技术可以满足减小封装尺寸的需求,同时具有更优异的电迁移性能,并带来其他优势,例如符合 RoHS 标准、更高的成本效益和更短的生产周期。

PacTech 提供适用于细微间距倒装芯片和 WLCSP 封装的铜柱凸起解决方案,我们的铜柱产品系列具有多种表面处理,具有各自的优势:

  • Cu Pillar X1 – 基本款铜柱,适用于细微间距倒装芯片

  • Cu Pillar X2 – 带焊帽的铜柱,具有更好的服帖性

  • Cu Pillar X3 – 带有镍扩散阻挡层的铜柱

  • Cu Pillar X3en – 具有 ENIG 表面的铜柱,提高可焊性以及耐腐蚀性

我们的铜柱可选择PI等钝化层,适用于5G和射频、汽车、消费品、电源控制器和传感器等各种应用。

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Copper Pillar

晶圆级封装服务

电镀

电镀,或电化学沉积,是利用电沉积工艺在任何基材上镀覆一层金属的过程。例如,RDL 和铜就属于电镀工艺的一部分。

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化镀

低成本无掩模化学沉积技术,可在晶圆表面沉积各种金属叠层,用作金属间互连,提高产品可靠性和性能。

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激光辅助键合

激光辅助键合是一种利用激光能量将两种材料表面键合在一起的互连方法。

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焊锡凸点技术

多种焊锡沉积技术用于形成 WLCSP 和倒装芯片互连的焊锡凸点。

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晶圆级组件封装

晶圆级封装是将芯片或各种无源器件贴装在晶圆表面的工艺。

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晶圆减薄

晶圆减薄是指为最终封装中的芯片减薄晶圆背面的过程。

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晶圆金属镀层

利用蒸发或溅射技术在晶圆背面应用各种金属叠层以提高芯片性能。

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晶圆切割

晶圆切割是指利用高精度的方法将晶圆上的芯片一个个分开分离的过程。

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