化学电镀 – 在晶圆上进行无掩模化学沉积，作为金属间连接或提高产品可靠性。
电镀是使用电沉积法在任何基材上为物体镀上一层金属的过程。
用于低成本和细间距倒装芯片互连的电镀铜柱与可选的镍扩散屏障和SnAg帽。
将带有金属和电介质层的芯片上的焊盘重新布置到其他位置，以满足后续的封装规则。
我们提供各种焊料沉积技术，以形成用于晶圆级芯片规模封装（WLCSP）和倒装芯片互连的焊料凸点。
激光辅助接合是一种通过激光能量将材料的两个表面接合在一起而进行的互连方法。
我们提供晶圆级的元件组装，在晶圆表面安装模具、芯片或各种无源元件如电容器。
通过高质量的机械抛光和化学应力消除，去除晶圆背面的材料，使最终包装中的芯片更薄。
通过蒸发或溅射技术在晶圆背面应用各种金属堆，以提高芯片性能。
为了改善芯片性能，例如降低接触电阻和增强散热，晶圆背面金属化工艺被证明是一种非常有效的方法。PacTech Asia 利用电子束蒸发技术进行晶圆背面金属化。 该技术的优点在于速度快且污染低，因为只有电子束接触源材料。
我们具备利用蒸发工艺在晶圆上镀金属的能力，金属厚度的片间均匀性和整体均匀性均能控制在小于 20% 的变化范围内 （包括晶圆与晶圆之间以及整个晶圆内）。 这种工艺利用电子束枪 (e-gun) 蒸发源, 以控制厚度在晶圆上沉积单层或多层薄金属膜。同时，我们还可根据客户需求提供镜面和哑光两种表面处理选项。
电镀，或电化学沉积，是利用电沉积工艺在任何基材上镀覆一层金属的过程。例如，RDL 和铜就属于电镀工艺的一部分。
低成本无掩模化学沉积技术，可在晶圆表面沉积各种金属叠层，用作金属间互连，提高产品可靠性和性能。
激光辅助键合是一种利用激光能量将两种材料表面键合在一起的互连方法。
多种焊锡沉积技术用于形成 WLCSP 和倒装芯片互连的焊锡凸点。
晶圆级封装是将芯片或各种无源器件贴装在晶圆表面的工艺。
晶圆减薄是指为最终封装中的芯片减薄晶圆背面的过程。
利用蒸发或溅射技术在晶圆背面应用各种金属叠层以提高芯片性能。
晶圆切割是指利用高精度的方法将晶圆上的芯片一个个分开分离的过程。
