1. 开始
目标是在绝缘层上重新分配连接。该过程从绝缘层上方的钝化层开始。
2. 种子层
通常使用溅射或蒸发沉积的金属制成的种子层放置在物体上方，以创建新的连接可能性。
3. 光刻胶
将光敏有机材料 (光刻胶) 涂覆在种子层上。它可以在接下来的光刻工艺中进行掩膜。
4. 光刻
利用光对光刻胶进行掩膜并生成新的连接图案。根据光的极性，材料在弱化和强化方面会受到不同的影响。
5. 电镀
通过电镀工艺，将一层薄薄的材料 (例如铜或其他导体) 沉积在种子层上，沉积区域由光刻胶掩膜限定。
6. 剥离光刻胶
将光刻工艺产生的掩膜从物体上去除，以便在下一个过程中重新处理种子层。
7. 蚀刻
去除物体上不需要的材料 (在本例中为种子层)，使种子层和铜层的尺寸完全一致。
8. 钝化
沉积钝化层。这可以在下一个光刻工艺中进行掩膜后将重新定位的电子连接分开。
9. 光刻技术
本工艺示例的第二次掩膜。在特定位置去除钝化层，为凸点下金属化层 (UBM) 创造新的空间。
10. 化镀 UBM
金属层的堆叠放置在钝化层之间的掩膜空间内，以完成用于不同应用的集成电路。
11. 焊球
现在可以将焊料凸点或铜柱放置在 UBM 层上，用于后续的倒装芯片等应用。
