Maskenlose chemische Abscheidung von Metall auf Wafern als intermetallische Verbindung oder zur Verbesserung der Produktzuverlässigkeit.
Elektrische Beschichtung (Galvanik) ist ein Verfahren, bei dem ein Gegenstand auf einem Substrat mit einer Schicht aus Metall überzogen wird.
Galvanisierter Cu-Pfeiler mit optionaler Ni-Diffusionsbarriere und SnAg-Kappe für kostengünstige Flip-Chip-Verbindungen mit kleinem Pitch.
Umverlegung von Pads auf einem Chip mit Metall- und Dielektrikumsschichten an andere Stellen, um die folgenden Packaging-Regeln zu erfüllen.
Verschiedene Lötverfahren zur Herstellung von Lötbumps für das Wafer-Level-Chip-Scale-Packaging und Flip-Chip-Verbindungen.
Das lasergestützte Bonden ist ein Verbindungsverfahren, bei dem zwei Materialoberflächen mit Hilfe von Laserenergie verbunden werden.
Montage von Komponenten auf Wafer-Ebene, indem Chips oder andere passive Komponenten auf einer Wafer-Oberfläche angebracht werden.
Entfernung von Materialien auf der Waferrückseite durch hochwertiges mechanisches Polieren und chemischen Stressabbau.
Anwendung verschiedener Metallstapel durch Aufdampfen oder Sputtern auf der Waferrückseite zur Verbesserung der Chipleistung.
Beim Wafer Dicing werden die Siliziumchips (Die) auf dem Wafer durch mechanisches Sägen voneinander getrennt.
6 – 8 May 2025
Nuremberg, Germany
5-111
13 – 15 May 2025
San Jose Convention Center, CA
535
27 – 30 May 2025
Dallas, Texas
418
16 – 18 Sept 2025
World Trade Center Grenoble, France
15
18 – 21 Nov 2025
Munich, Germany
B2.203
20 – 22 Nov 2025
Hilton Fukuoka Sea Hawk, Japan
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