Maskenlose chemische Abscheidung von Metall auf Wafern als intermetallische Verbindung oder zur Verbesserung der Produktzuverlässigkeit.
Elektrische Beschichtung (Galvanik) ist ein Verfahren, bei dem ein Gegenstand auf einem Substrat mit einer Schicht aus Metall überzogen wird.
Galvanisierter Cu-Pfeiler mit optionaler Ni-Diffusionsbarriere und SnAg-Kappe für kostengünstige Flip-Chip-Verbindungen mit kleinem Pitch.
Umverlegung von Pads auf einem Chip mit Metall- und Dielektrikumsschichten an andere Stellen, um die folgenden Packaging-Regeln zu erfüllen.
Verschiedene Lötverfahren zur Herstellung von Lötbumps für das Wafer-Level-Chip-Scale-Packaging und Flip-Chip-Verbindungen.
Das lasergestützte Bonden ist ein Verbindungsverfahren, bei dem zwei Materialoberflächen mit Hilfe von Laserenergie verbunden werden.
Montage von Komponenten auf Wafer-Ebene, indem Chips oder andere passive Komponenten auf einer Wafer-Oberfläche angebracht werden.
Entfernung von Materialien auf der Waferrückseite durch hochwertiges mechanisches Polieren und chemischen Stressabbau.
Anwendung verschiedener Metallstapel durch Aufdampfen oder Sputtern auf der Waferrückseite zur Verbesserung der Chipleistung.
Beim Wafer Dicing werden die Siliziumchips (Die) auf dem Wafer durch mechanisches Sägen voneinander getrennt.
24 – 26 January 2024
Tokyo Big Sight,Tokyo, Japan
E2-30
31 Jan- 02 February 2024
Coex, Soul
A232
20 February 2024
Technische HochschuleIngolstadt
/
18 – 21 March 2024
Fountain Hills,AZ
37
Charleston,SC, USA
609
20 – 22 March 2024
Shanghai,New International Expo Center
N5-5331
14 – 15 May 2024
Taipei,Taiwan
28 – 31 May 2024
Denver,Colorado
515
Kuala Lumpur,Malaysia
11 – 13 June 2024
Nuremberg, Germany
5-211
Tampere, Finland
11 – 13 September 2024
Berlin, Germany
01 – 02 October 2024
Boston, Massachusetts
16 – 18 October 2024
Penang, Malaysia
12 – 15 November 2024
Munich, Germany