はんだ/ワイヤーボンディングの接合性改善や製品の信頼性向上のために、パッド上に金属スタックをマスクレスで形成します。
ウェハー/基板上にRDLなどの金属配線(複層可)を形成します。
オプションでNi拡散バリアやSnAgキャップを形成することが可能です。低コスト、ファインピッチ対応。
チップのパッド上に金属配線と絶縁層を形成し、パッドを他の場所に再配置することで実装性を向上させます。
WLCSPやフリップチップの接続用のはんだバンプを形成します。
レーザーを用いて低熱ストレスでの部品/チップ実装を実現します。
ウェーハ上にダイやチップ、コンデンサなどの各種部品実装を行います。
機械研磨とケミカルストレスリリーフにより、ウェーハ裏面の研削を行います。
ウェーハ裏面への蒸着・スパッタリングによる各種金属膜の形成を行います。
ウェハー状態からシリコンチップ(ダイ)を機械的に切り出します。
24 – 26 January 2024
Tokyo Big Sight, Tokyo, Japan
E2-30
31 Jan- 02 February 2024
Coex, Soul
A232
20 February 2024
Technische HochschuleIngolstadt
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18 – 21 March 2024
Fountain Hills,AZ
37
Charleston,SC, USA
609
20 – 22 March 2024
Shanghai,New International Expo Center
N5-5331
14 – 15 May 2024
Taipei,Taiwan
28 – 31 May 2024
Denver,Colorado
515
Kuala Lumpur,Malaysia
Nuremberg, Germany
5-211
11 – 13 June 2024
Tampere, Finland
11 – 13 September 2024
Berlin, Germany
01 – 02 October 2024
Boston, Massachusetts
16 – 18 October 2024
Penang, Malaysia
12 – 15 November 2024
Munich, Germany