先進のパッケージング装置とウェハレベルパッケージングサービス

先端パッケージング装置

低熱ストレスな実装やフラックスフリーのはんだ付けなどユニークな装置をご提供します。

ウェーハレベルパッケージングサービス

お客様のご要望に応じてカスタマイズ可能なウェーハレベルパッケージング(WLP)サービスをご提供します。

めっき用化学品

めっき液(濃縮液、プレミックス)などご要望に応じて様々なめっき関連化学品をご提供します。

装置

SB²-RSP

レーザーはんだ付け装置 SB² ®

PacTechのレーザーはんだ付け技術を搭載した、コンパクトな設置面積でありながら柔軟性の高い製造装置です。

当社のレーザーはんだ付け技術は、クリーンで正確かつ柔軟性に富んでいます。独自のボールハンドリング機構により、単一のはんだボールをキャピラリー内に供給し、レーザービームの熱エネルギーではんだボールを溶かします。溶融したはんだボールを任意の位置に付着させることで、即座にリフローを完了ことができます。融点の異なる様々なはんだ合金にも対応しており、基本的にフラックスを必要としないプロセスなため、クリーンな作業が可能です。

また、レーザーによる局所的な加熱と極短時間のリフローにより、接合面以外の部分にかかる熱ストレスを最小限に抑えることができます。単一のはんだボールを選択的に吐出する機構のため、はんだ付けにマスキングのためのツールが必要とされず、柔軟かつ非接触でのはんだ付けを可能にします。

  • フラックスレス

  • マスク・ステンシル不要

  • クリーン

  • 高いはんだ付け精度

  • 低熱ストレス

  • 3Dはんだ付け可

LaPlace-HT

レーザーアシストボンディングマシン LAPLACE ®

高精度で低熱応力のアセンブリのための高度にカスタマイズ可能なレーザーアシストボンディング技術。

局所的なレーザー加熱機構により、数ミクロンの配線を液状化しリフローするために、基板全体をリフロー温度まで加熱することなく、配線の気になる部分に選択的に温度を加えることが可能です。カスタマイズされたボンドツールとレーザー技術により、ピックアンドプレースとアセンブリリフロー加熱を高精度<5µmでシングルステップで実現します。局所加熱により大型ダイの確実な接合を実現し、In-situリフローにより300μmの超小型ダイのアセンブリをサポートします。

また、独自の温度制御機構により、チップや部品の過加熱、基板の反り、リフローの繰り返しを防止します。

  • 柔軟なレーザービーム形状

  • レーザーによる局所的・選択的なリフロー

  • 低熱ストレスの常温プロセス

  • CTEミスマッチのある材料の接合に適している

  • カスタマイズ可能なボンドツール

  • 高い位置精度

PacLine

無電解メッキ装置 PACLINE ®

パックテックの無電解めっき技術による全自動高スループット製造ライン。

当社の無電解めっきプロセスは、Si、Si化合物、InP、LiTaなどの様々な素材の半導体ウェーハを対象とし、ウェーハ上のAlやCuなどのボンドパッドの上にNi、Pd、Auなどのめっきを形成します。これらははんだやワイヤボンドとの接着層、拡散バリアー層、濡れ性向上などの機能を果たし、フリップチップやWLCSPなどの各種パッケージの信頼性と性能を高めます。
装置に加えて、25年以上にわたる自社でのWLPサービスの量産経験から、再現性と信頼性の高い結果を得るための独自のめっき薬液も取り揃えています。

ウェーハは、完全自動化されためっきラインに投入されます。ロボットハンドラーによってウェーハはライン内を搬送され、インライン分析とメンテナンスによって十分に管理された薬液槽を通過します。
委託加工サービスや装置/薬品の販売だけでなく技術移転/トレーニングも含め、委託での少量生産からお客様工場内でのめっきライン導入に至るまでをフルサポートする、独自のターンキーモデルを提供しています。

  • キャパシティ:最大60万枚/年 (8″ ウェーハ)

  • ウェーハサイズ:4″~12″

  • インラインでのバスコントロールと薬液補充

  • マスクレスプロセス

  • SECS GEMインターフェース (オプション)

  • 完全自動乾燥式ウェーハ処理(ドライイン・ドライアウト)

Ultra - SB² 300

はんだボール搭載機 Ultra-SB² ®

WLCSPおよびフリップチップ・アプリケーションのはんだバンプ用高精度ボール配置技術。

Ultra-SB²®は、フラックス印刷、ボール配置、2D検査、およびはんだリフロー前のウェーハレベルでのリワーク機能を統合した全自動はんだバンピング装置であり、最大100%のバンプ歩留まりを実現します。この機械は、カセットからカセットへのウェーハ処理が可能で、統合された2D検査は、ボール配置後のウェーハ検査だけでなく、配置前後のテンプレート検査も含まれており、はんだバンピングプロセスの制御を最大化します。

はんだボールは、事前にフラックス処理されたウェーハのUBMパッドに配置され、所定の位置に固定されます。これにより、特に微細なはんだボールやピッチの狭いレイアウトにおいて、高精度なボール取り付けが可能になります。

はんだボールが取り付けられたウェーハは、はんだボールの欠落、位置ずれ、余分なものがないか再度検査され、不良品は取り除かれ、はんだリフロー前に交換されます。Ultra-SB²®は、異なるウェーハ処理システムを介して既存の製造ラインに統合可能で、自動ウェーハ処理を実現します。

  • 最適なバンプ歩留まりを実現するための、オプションのリワーク機能を統合可能

  • 対応ウェーハサイズ: 4″- 12″

  • オプションで統合可能なフラックス印刷機能および2D外観検査(AOI)

  • カスタマイズ可能なインライン製造対応

  • カセットからカセットへのロボットハンドリング

  • 高精度

ウエハーレベルパッケージングサービス

電解メッキ

電解めっき(または電気化学的析出)は、あらゆる基板上の物体に金属の層を電着させてコーティングするプロセスです。

無電解メッキ

ワイヤーボンディングやはんだボールなど実装方法ごとに適したメッキをパッド上に形成します。ウェーハプロセスかつマスクレスのため低コストでの成膜が可能です。

レーザーアシストボンディング

レーザーを用いたローカルリフローにより低熱ストレスなボンディングをご提供します。

はんだボール実装

様々なパッケージ(WLCSP, フリップチップなど)上にはんだバンプを形成します。

部品実装

ウェーハの表面にダイや受動部品などコンポーネントを実装します。

ウェーハ研削

ダイの薄型化のためウェーハ裏面を研削します。

バックサイドメタル

ウェーハ裏面にバックサイドメタルを形成します。

ダイシング

ダイシングブレードを使用しウェーハからダイを個片化します。