はんだ/ワイヤーボンディングの接合性改善や製品の信頼性向上のために、パッド上に金属スタックをマスクレスで形成します。
ウェハー/基板上にRDLなどの金属配線(複層可)を形成します。
オプションでNi拡散バリアやSnAgキャップを形成することが可能です。低コスト、ファインピッチ対応。
チップのパッド上に金属配線と絶縁層を形成し、パッドを他の場所に再配置することで実装性を向上させます。
WLCSPやフリップチップの接続用のはんだバンプを形成します。
レーザーを用いて低熱ストレスでの部品/チップ実装を実現します。
ウェーハ上にダイやチップ、コンデンサなどの各種部品実装を行います。
機械研磨とケミカルストレスリリーフにより、ウェーハ裏面の研削を行います。
ウェーハ裏面への蒸着・スパッタリングによる各種金属膜の形成を行います。
ウェハー状態からシリコンチップ(ダイ)を機械的に切り出します。
ダイシングとは、ウェーハ上にあるシリコンチップ(ダイ)を個片化する工程のことを指します。ダイシング工程では、ダイ間の余白部分(ダイシングストリートまたはスクライブラインと呼ばれる)を機械的に切断することによって行われます。
電気めっき、または電気化学的析出は、任意の基板上の金属(複数可)の層で対象物をコーティングするために電解を使用するプロセスである。例えば、RDLや銅はこのプロセスの一部である。
ワイヤーボンディングやはんだボールなど実装方法ごとに適しためっきをパッド上に形成します。ウェーハプロセスかつマスクレスのため低コストでの成膜が可能です。
レーザーアシストボンディングは、レーザーエネルギーによって2つの材料の表面を結合させる接合方法である。
様々なパッケージ(WLCSP, フリップチップなど)上にはんだバンプを形成します。
ウェーハの表面にダイや受動部品などコンポーネントを実装します。
ダイの薄型化のためウェーハ裏面を研削します。
ウェーハ裏面にバックサイドメタルを形成します。
ウェーハからダイを切り出し、個片化します。ダイシングブレードを使用します。