Lasergestütztes Bonding für das Wafer Level Packaging

Die meisten der heutigen Flip-Chip-Bonder stammen von modifizierten Oberflächenmontagegeräten ab. Bei dieser Methode der Flip-Chip-Befestigung wird thermische Energie verwendet, um den gebumpten Chip wieder mit dem Substrat zu verbinden.  Der Vorteil der Lasererwärmung gegenüber der direkten thermischen Erwärmung liegt in der hohen Selektivität mit einer extrem guten Zeitsteuerung im Millisekundenbereich. Dies steht im Gegensatz zu Infrarot- und Konvektionsöfen, bei denen der Montageprozess Minuten dauert. Durch den Einsatz des Lasers zum Reflow der Lötstellen wird die thermische Belastung des Gehäuses und des Substrats minimiert, so dass neue Substrate und neue ICs, die thermisch empfindlicher sind, eingesetzt werden können.

Die Zykluszeiten des Prozesses werden durch das Anlagenkonzept, bei dem die Chipbestückung und der Reflowprozess gleichzeitig durchgeführt werden, und durch das Fehlen der langen Heiz- und Kühlzyklen von Standard-TCB-Bondersystemen verbessert. Daneben verdeutlicht die Prozessfähigkeit für ACF-, NCP- und Lötverbindungstechniken die hohe Flexibilität des Laserheizprozesses.

Laser Assisted Bonding Service

WAFER LEVEL PACKAGING-Dienstleistungen

Elektrische Beschichtung

Die Galvanotechnik oder elektrochemische Abscheidung ist ein Verfahren, bei dem ein Gegenstand auf einem beliebigen Substrat mit einer Metallschicht beschichtet wird. RDL und Kupfersäulen zum Beispiel gehören zu diesem Verfahren.

Chemische Beschichtung

Kostengünstige, maskenlose chemische Abscheidung verschiedener Metalle auf der Waferoberfläche, die als intermetallische Verbindung dienen oder die Zuverlässigkeit und Leistung des Produkts verbessern.

Laserunterstütztes Bonden

Das lasergestützte Bonden ist ein Verbindungsverfahren, bei dem zwei Materialoberflächen mit Hilfe von Laserenergie miteinander verbunden werden.

Solder Balling

Verschiedene Technologien zur Lotabscheidung zur Bildung von Lotkugeln für WLCSP- und Flip-Chip-Verbindungen.

Montage von Bauteilen auf Wafer-Ebene

Montage auf Wafer-Ebene durch Aufbringen von Chips oder verschiedenen passiven Komponenten auf der Wafer-Oberfläche.

Wafer-Ausdünnung

Ausdünnen der Waferrückseite für Stanzformen in der Endverpackung.

Wafer-Metallbeschichtung

Anwendung verschiedener Metallbeschichtungen durch Aufdampfen oder Sputtern auf der Waferrückseite zur Verbesserung der Chipleistung.

Wafer-Dicing

Hochpräzise und genaue Vereinzelung von Chips auf einem Wafer.