Maskenlose chemische Abscheidung von Metall auf Wafern als intermetallische Verbindung oder zur Verbesserung der Produktzuverlässigkeit.
Elektrische Beschichtung (Galvanik) ist ein Verfahren, bei dem ein Gegenstand auf einem Substrat mit einer Schicht aus Metall überzogen wird.
Galvanisierter Cu-Pfeiler mit optionaler Ni-Diffusionsbarriere und SnAg-Kappe für kostengünstige Flip-Chip-Verbindungen mit kleinem Pitch.
Umverlegung von Pads auf einem Chip mit Metall- und Dielektrikumsschichten an andere Stellen, um die folgenden Packaging-Regeln zu erfüllen.
Verschiedene Lötverfahren zur Herstellung von Lötbumps für das Wafer-Level-Chip-Scale-Packaging und Flip-Chip-Verbindungen.
Das lasergestützte Bonden ist ein Verbindungsverfahren, bei dem zwei Materialoberflächen mit Hilfe von Laserenergie verbunden werden.
Montage von Komponenten auf Wafer-Ebene, indem Chips oder andere passive Komponenten auf einer Wafer-Oberfläche angebracht werden.
Entfernung von Materialien auf der Waferrückseite durch hochwertiges mechanisches Polieren und chemischen Stressabbau.
Anwendung verschiedener Metallstapel durch Aufdampfen oder Sputtern auf der Waferrückseite zur Verbesserung der Chipleistung.
Beim Wafer Dicing werden die Siliziumchips (Die) auf dem Wafer durch mechanisches Sägen voneinander getrennt.
19- 21 February 2025
Coex, South Korea
B820
3 – 6 March 2025
Phoenix, AZ
305
5 – 7 March 2025
Seoul, South Korea
B 330
17 – 20 March 2025
Pasadena, CA
314
26 – 28 March 2025
Shanghai, China
5241
6 – 8 May 2025
Nuremberg, Germany
5-111
