铜基半导体上的化镀
对于铜基的半导体，镍和金的镀液与铝基的半导体相同。通常会使用几个酸性清洁步骤来清除杂质，并从I/O电路板表面去除铜氧化物。铜的活化步骤类似于层压板镀层行业中使用的步骤，通常使用基于钯的催化剂。镀铜半导体的专业知识在于能够有选择性地催化铜I/O电路板，而不激活周围的保护层。
这些化镀过程本质上成本较低，并且除了倒装芯片和晶圆级芯片级封装凸块之外，还可以用于各种不同的应用，包括：
聚合物倒装芯片（1-5um的镍金 + 导电环氧树脂）
各向异性的导电胶（10-25um高的镍金 + ACF或ACA材料）
用于引线键合的铜和铝焊盘的表面处理 (2-5 微米的镍金、镍钯或镍钯金)
用于探针测试的铜焊盘的表面处理 (2-5 微米镍金、镍钯或镍钯金)
通过化镀生产线批量处理晶圆盒，可实现高通量，从而降低成本。镀镍过程具有高度选择性，只会在暴露的金属表面（铝或铜）上镀层，为这种UBM沉积技术带来了重大的成本优势。与用于沉积UBM的传统技术相比，使用化镀镍具有以下优势：
无需定义可焊区域的加工步骤（例如真空金属沉积、光刻和掩模蚀刻）
一个系统可以处理所有尺寸的晶圆，且无需更换设备（3″ 到12″）
化镀技术的资本投资相对较小
减少运营成本（人工和间接成本）
化镀工艺应用于集成电路领域也并非易事，这主要是因为制造电路所涉及的材料和工艺会因晶圆厂而异。铝 (或铜) 合金成分、焊盘金属下方的微观结构、钝化层材料及其质量、焊盘电势以及能量敏感性 (辐射和接地效应) 都将影响镀镍速度、均匀性和镍与铝 (或铜) 焊盘的附着力。
由于工艺细节 (行业内部诀窍) 通常不被视为可专利化，因此工艺开发者会将他们的工艺视为专有技术。因此，有关化镀镍层的详细信息并不容易获得。
工艺过程中的前三个步骤对于确定镀层过程的整体选择性、镍的形貌以及镍与铝 (或铜) 焊盘的附着力至关重要。通常，能够生成细颗粒、均匀、薄的催化剂 (锌或钯) 层的工艺将产生最佳的镀镍结构。特定的化学成分和绝对成分比例对于生产这种所需的结构至关重要。在制造环境中实施工艺时，除了选择合适的化镀化学成分之外，还必须考虑化学品的可用性、产地、价格、毒理学、槽寿命、废物处理/处置以及环境问题。
