化镀镍/金概述

凸块下金属化层 (Under-Bump-Metallization, UBM) 是所有凸点工艺的重要组成部分。

该层通常通过物理气相沉积 (PVD)、电镀或化镀沉积。 这三种

铜基半导体上的化镀

对于铜基的半导体，镍和金的镀液与铝基的半导体相同。通常会使用几个酸性清洁步骤来清除杂质，并从I/O电路板表面去除铜氧化物。铜的活化步骤类似于层压板镀层行业中使用的步骤，通常使用基于钯的催化剂。镀铜半导体的专业知识在于能够有选择性地催化铜I/O电路板，而不激活周围的保护层。

这些化镀过程本质上成本较低，并且除了倒装芯片和晶圆级芯片级封装凸块之外，还可以用于各种不同的应用，包括：

聚合物倒装芯片（1-5um的镍金 + 导电环氧树脂）

各向异性的导电胶（10-25um高的镍金 + ACF或ACA材料）

铝基半导体上的化镀

对于铝基集成电路，沉积化镀镍层的化学顺序包含以下步骤：

清洗焊盘：去除可能因晶圆搬运、存放或制造工艺变化而产生的任何有机或硅基污染物。

去除氧化物：去除铝焊盘表面可能生成的所有天然氧化物。 这通常使用碱性蚀刻化学品进行。

铝表面活化：最常用的湿化学系统是 “锌化处理”，其中使用氧化锌溶液通过电化学反应替换焊盘铝中的一部分锌。经验研究表明，通过去除该锌层然后在第二个锌化步骤中重新形成它，可以创建更高质量的锌层（称为“双锌化”）。