PT Logo_PT Weiß
PT Logo_PT Weiß

先进封装设备和
晶圆级封装服务

先进封装设备

前来探索我们用于自动化和高精度制造的革命性先进封装设备

晶圆级封装服务

携手打造定制化晶圆级封装解决方案,引领行业的先进设备助您一臂之力

化学品

凭借化镀专业知识,我们提供完整的化镀解决方案,确保工艺流程顺利转移。

先进的封装设备

SB²-RSP

SB² 激光焊接

采用PacTech的激光焊接技术制造的机器,占地面积小且具有高度的灵活性。

PacTech的激光焊锡喷射技术具备清洁、精确且灵活的特点。我们独特的焊球处理机制将单个焊锡球分配至焊嘴,激光束的热能将其熔化,使焊锡沉积到任意位置并立即回流。此技术能够兼容各种焊锡合金,其熔点不同,且无需助焊剂,因此非常干净。

激光局部加热和短脉冲的使用保证了最小化热应力施加在接合表面之外的区域。选择性单焊球分配机制不需要工具来屏蔽焊锡位置,因此实现了焊锡位置的灵活性和非接触式焊接。

  • 免助焊剂

  • 免掩模/免模板

  • 清洁

  • 高精度

  • 低热应力
  • 3D焊锡

LaPlace-HT

LAPLACE 激光辅助键合机

高度可定制的激光辅助键合技术,实现高精度和低热应力装配。

利用局部激光加热机制,可以在目标互连区域选择性地施加温度,而无需将整个基板加热到回流温度以液化和回流几微米的互连。 通过定制的键合工具和激光技术,拾取放置和组装回流加热可在单步完成,精度高达小于 5 微米。 局部加热可确保大型芯片的可靠键合,而原位回流支持组装小至 300 微米的超小型芯片。

我们独特​​的温度控制机制可保护单个芯片或组件过热,并防止基板翘曲和重复回流的情况。

  • 局部和选择性激光加热

  • 灵活的激光束整形

  • 原位回流,低热应力

  • 可定制的键合工具

  • 高精度的放置

  • 适用于具有 CTE 不匹配的键合材料

PacLine

PACLINE 化镀设备

采用PacTech的化镀技术,实现全自动高产能生产线。

我们的无掩膜自模板湿化镀工艺可以在不同材质的半导体晶圆(包括硅、硅化合物、磷化铟、钽酸锂等)上的铝或铜键合垫上镀上镍、钯和金。这层镀层用作焊料和引线键合的附着层、扩散阻挡层和润湿层,可提高各种封装和组装(例如倒装芯片和 WLCSP)的可靠性和性能。晶圆被加载到全自动湿化镀生产线中,再由机器人搬运手将晶圆送入经过在线分析和维护良好控制的化学浴中。

与我们联系以了解更多关于我们提供的适用于低产量到高产量的独特一站式模式,包括代工服务、设备或化学品销售以及技术转让。我们提供专有的化学成分配方,可确保可重复和可靠的结果,这一点已通过我们超过 25 年的内部大批量制造经验得到证明。

  • 低成本高通量

  • 无掩模焊盘金属化

  • 全自动干进干出晶圆处理

  • 无需模具即可处理 4 英寸到 12 英寸的晶圆尺寸

  • 在线槽分析和维护

  • 多配方管理和 SECS/GEM 接口可用

Ultra - SB² 300

ULTRA-SB² 焊球喷置设备

高精度焊球喷置技术,适用于晶圆级芯片级封装和倒装芯片应用中的焊锡凸点工艺。

Ultra-SB² 是一款全自动焊锡凸点设备,集成了助焊剂印刷、焊球放置、2D检测和晶圆级返工功能,可在回流焊之前实现高达 100% 的晶圆凸点良率。该设备能够实现从盒式到盒式的晶圆处理,并且集成的2D检测不仅可以检测焊球放置后的晶圆,还包括焊前和焊后模板检测,最大限度地提高焊锡凸点工艺控制。

焊球被放置在预涂助焊剂晶圆的凸块下金属层焊盘上并固定在位置上。该工艺可实现高精度的焊球贴装,尤其适用于微焊球和小间距布局。经过焊球贴装后的晶圆将再次进行检测,以找出缺失、放置错误和额外的焊球。 这些不良品将在回流焊之前被移除并替换。Ultra-SB² 可通过不同的晶圆处理系统定制集成到现有生产线中,实现自动晶圆处理。

  • 可处理 4 英寸 – 12 英寸晶圆

  • 自动晶圆盒传送机器人

  • 可选集成返工能力,实现最佳凸点良率

  • 高精度

  • 可选集成助焊剂印刷和2D自动光学检测

  • 可定制的在线制造适配

晶圆级封装服务

电镀

电镀,或电化学沉积,是利用电沉积工艺在任何基材上镀覆一层金属的过程。例如,RDL 和铜就属于电镀工艺的一部分。

化镀

低成本无掩模化学沉积技术,可在晶圆表面沉积各种金属叠层,用作金属间互连,提高产品可靠性和性能。

激光辅助键合

激光辅助键合是一种利用激光能量将两种材料表面键合在一起的互连方法。

焊锡凸点技术

多种焊锡沉积技术用于形成 WLCSP 和倒装芯片互连的焊锡凸点。

晶圆级组件封装

晶圆级封装是将芯片或各种无源器件贴装在晶圆表面的工艺。

晶圆减薄

晶圆减薄是指为最终封装中的芯片减薄晶圆背面的过程。

晶圆金属镀层

利用蒸发或溅射技术在晶圆背面应用各种金属叠层以提高芯片性能。

晶圆切割

晶圆切割是指利用高精度的方法将晶圆上的芯片一个个分开分离的过程。