化学电镀 – 在晶圆上进行无掩模化学沉积，作为金属间连接或提高产品可靠性。
电镀是使用电沉积法在任何基材上为物体镀上一层金属的过程。
电镀铜柱，带有可选的镍扩散屏障和锡银帽，以实现低成本和细间距的倒装芯片互连。
将带有金属和电介质层的芯片上的焊盘重新布置到其他位置，以满足后续的封装规则。
我们提供各种焊料沉积技术，以形成用于晶圆级芯片级封装（WLCSP）和倒装芯片互连的焊锡凸点。
激光辅助键合是一种通过激光能量将两种材料表面键合在一起的互连方法。
我们提供晶圆级的组件封装，通过将裸芯片、集成电路芯片或各种无源器件例如电容器直接贴附于晶圆表面上。
通过高质量的机械抛光和化学应力消除，去除晶圆背面的材料，使最终封装中的芯片更薄。
通过蒸发或溅射技术在晶圆背面沉积多种金属叠层，以提高芯片性能。
晶圆切割是指将晶圆上的硅芯片通过机械锯片的方式分离成一个个独立的芯片。
许多芯片并没有针对倒装芯片或晶圆级芯片级封装进行设计。 这些芯片的焊盘通常位于芯片边缘的一圈，专为引线键合工艺设计，因此往往尺寸过小，无法用于焊料凸起。 通过将这些焊盘从芯片边缘重新配置或分布到芯片的其他位置，就可以实现晶圆凸起 (倒装芯片或 WLCSP) 封装。
使用重新布线层 (RDL) 技术可以利用芯片更大的面积，从而显著节省空间，实现统一的 I/O 布局，并能采用更简单、更低成本的基板。 重新布线的第一步工艺是在晶圆上沉积电介质层以增强芯片钝化，然后通过金属走线将焊盘引至新的位置。
电镀，或电化学沉积，是利用电沉积工艺在任何基材上镀覆一层金属的过程。例如，RDL 和铜就属于电镀工艺的一部分。
低成本无掩模化学沉积技术，可在晶圆表面沉积各种金属叠层，用作金属间互连，提高产品可靠性和性能。
激光辅助键合是一种利用激光能量将两种材料表面键合在一起的互连方法。
多种焊锡沉积技术用于形成 WLCSP 和倒装芯片互连的焊锡凸点。
晶圆级封装是将芯片或各种无源器件贴装在晶圆表面的工艺。
晶圆减薄是指为最终封装中的芯片减薄晶圆背面的过程。
利用蒸发或溅射技术在晶圆背面应用各种金属叠层以提高芯片性能。
晶圆切割是指利用高精度的方法将晶圆上的芯片一个个分开分离的过程。
