化学电镀 – 在晶圆上进行无掩模化学沉积，作为金属间连接或提高产品可靠性。
电镀是使用电沉积法在任何基材上为物体镀上一层金属的过程。
电镀铜柱，带有可选的镍扩散屏障和锡银帽，以实现低成本和细间距的倒装芯片互连。
将带有金属和电介质层的芯片上的焊盘重新布置到其他位置，以满足后续的封装规则。
我们提供各种焊料沉积技术，以形成用于晶圆级芯片级封装（WLCSP）和倒装芯片互连的焊锡凸点。
激光辅助键合是一种通过激光能量将两种材料表面键合在一起的互连方法。
我们提供晶圆级的组件封装，通过将裸芯片、集成电路芯片或各种无源器件例如电容器直接贴附于晶圆表面上。
通过高质量的机械抛光和化学应力消除，去除晶圆背面的材料，使最终封装中的芯片更薄。
通过蒸发或溅射技术在晶圆背面沉积多种金属叠层，以提高芯片性能。
晶圆切割是指将晶圆上的硅芯片通过机械锯片的方式分离成一个个独立的芯片。
随着先进封装技术的发展，业界对封装尺寸的需求不断提高，要求更小的间距和凸点直径，同时还要保持相同的封装高度。铜柱凸起技术可以满足减小封装尺寸的需求，同时具有更优异的电迁移性能，并带来其他优势，例如符合 RoHS 标准、更高的成本效益和更短的生产周期。
PacTech 提供适用于细微间距倒装芯片和 WLCSP 封装的铜柱凸起解决方案，我们的铜柱产品系列具有多种表面处理，具有各自的优势：
Cu Pillar X1 – 基本款铜柱，适用于细微间距倒装芯片
Cu Pillar X2 – 带焊帽的铜柱，具有更好的服帖性
Cu Pillar X3 – 带有镍扩散阻挡层的铜柱
Cu Pillar X3en – 具有 ENIG 表面的铜柱，提高可焊性以及耐腐蚀性
我们的铜柱可选择PI等钝化层，适用于5G和射频、汽车、消费品、电源控制器和传感器等各种应用。
电镀，或电化学沉积，是利用电沉积工艺在任何基材上镀覆一层金属的过程。例如，RDL 和铜就属于电镀工艺的一部分。
低成本无掩模化学沉积技术，可在晶圆表面沉积各种金属叠层，用作金属间互连，提高产品可靠性和性能。
激光辅助键合是一种利用激光能量将两种材料表面键合在一起的互连方法。
多种焊锡沉积技术用于形成 WLCSP 和倒装芯片互连的焊锡凸点。
晶圆级封装是将芯片或各种无源器件贴装在晶圆表面的工艺。
晶圆减薄是指为最终封装中的芯片减薄晶圆背面的过程。
利用蒸发或溅射技术在晶圆背面应用各种金属叠层以提高芯片性能。
晶圆切割是指利用高精度的方法将晶圆上的芯片一个个分开分离的过程。
