电镀服务

晶圆级芯片级封装 (WLCSP) 技术日益普及,迎合了业界对更小型、更薄的微电子封装需求。 与传统的引线键合或互连层封装技术相比,WLCSP 具有更小的外形尺寸、更佳的电气性能以及更简单的结构。 PacTech 提供先进的晶圆凸起和 WLCSP 解决方案,例如 RDL 和铜柱电镀:

  • 铜柱凸起:凸点直径可达 25 微米

  • 柱状金属层叠:Cu、Cu/SnAg、Cu/Ni/SnAg 等可选组合

  • 凸点工艺:覆焊盘 / 覆聚合物

  • 铜重新分配层:单层或多层铜层,提供多种聚合物钝化材料选择

  • 适用基板:硅、玻璃和氮化镓,适用晶圆尺寸:100mm 至 200mm

RDL Redistribution Layer

电镀示例(向下滚动查看)

1. 开始:

该工艺的目标是重新分布布置在绝缘层上的连接点。工艺首先在绝缘层表面沉积一层钝化层。

2. 种子层:

在基体表面沉积一层种子层,通常由溅射或蒸发金属形成,用于建立新的连接可能性。

3. 光刻胶:

在种子层上涂覆一层对光敏感的有机材料——光刻胶,用于下一步光刻工艺中的图形遮罩。

4. 光刻:

利用光照对光刻胶进行曝光,以生成新的连接图形。根据光的极性不同,材料在受光照影响时会出现不同的反应,例如软化或硬化。

5. 电镀:

在已遮罩的区域内,通过电镀工艺在种子层上沉积一层薄金属层,例如铜或其他导电材料。

6. 去胶:

通过光刻工艺形成的掩膜将在本步骤中从基体上去除,以便在下一工艺中对种子层进行进一步处理。

7. 蚀刻:

移除不需要的材料(本步骤中为种子层),使种子层与电镀铜层尺寸完全一致。

8. 钝化:

沉积钝化层。该层用于在下一步光刻工艺中的图形遮罩之后,实现对新布设的电连接的隔离保护。

9. 光刻:

这是本工艺示例中的第二次图形遮罩。在特定位置上,钝化层被去除,以为凸点下金属化(UBM)创建新的开口区域。

10. 无电沉积凸点下金属化(UBM):

在钝化层之间已开口的区域内沉积多层金属,用于构建适用于不同应用的集成电路结构。

11. 焊球:

可在UBM层上放置焊点或铜柱,用于后续的应用,例如倒装芯片封装。

晶圆级封装服务

电镀

电镀,或电化学沉积,是利用电沉积工艺在任何基材上镀覆一层金属的过程。例如,RDL 和铜就属于电镀工艺的一部分。

化镀

低成本无掩模化学沉积技术,可在晶圆表面沉积各种金属叠层,用作金属间互连,提高产品可靠性和性能。

激光辅助键合

激光辅助键合是一种利用激光能量将两种材料表面键合在一起的互连方法。

焊锡凸点技术

多种焊锡沉积技术用于形成 WLCSP 和倒装芯片互连的焊锡凸点。

晶圆级组件封装

晶圆级封装是将芯片或各种无源器件贴装在晶圆表面的工艺。

晶圆减薄

晶圆减薄是指为最终封装中的芯片减薄晶圆背面的过程。

晶圆金属镀层

利用蒸发或溅射技术在晶圆背面应用各种金属叠层以提高芯片性能。

晶圆切割

晶圆切割是指利用高精度的方法将晶圆上的芯片一个个分开分离的过程。