化学电镀 – 在晶圆上进行无掩模化学沉积，作为金属间连接或提高产品可靠性。
电镀是使用电沉积法在任何基材上为物体镀上一层金属的过程。
电镀铜柱，带有可选的镍扩散屏障和锡银帽，以实现低成本和细间距的倒装芯片互连。
将带有金属和电介质层的芯片上的焊盘重新布置到其他位置，以满足后续的封装规则。
我们提供各种焊料沉积技术，以形成用于晶圆级芯片级封装（WLCSP）和倒装芯片互连的焊锡凸点。
激光辅助键合是一种通过激光能量将两种材料表面键合在一起的互连方法。
我们提供晶圆级的组件封装，通过将裸芯片、集成电路芯片或各种无源器件例如电容器直接贴附于晶圆表面上。
通过高质量的机械抛光和化学应力消除，去除晶圆背面的材料，使最终封装中的芯片更薄。
通过蒸发或溅射技术在晶圆背面沉积多种金属叠层，以提高芯片性能。
晶圆切割是指将晶圆上的硅芯片通过机械锯片的方式分离成一个个独立的芯片。
晶圆级芯片级封装 (WLCSP) 技术日益普及，迎合了业界对更小型、更薄的微电子封装需求。 与传统的引线键合或互连层封装技术相比，WLCSP 具有更小的外形尺寸、更佳的电气性能以及更简单的结构。 PacTech 提供先进的晶圆凸起和 WLCSP 解决方案，例如 RDL 和铜柱电镀：
铜柱凸起：凸点直径可达 25 微米
柱状金属层叠：Cu、Cu/SnAg、Cu/Ni/SnAg 等可选组合
凸点工艺：覆焊盘 / 覆聚合物
铜重新分配层：单层或多层铜层，提供多种聚合物钝化材料选择
适用基板：硅、玻璃和氮化镓，适用晶圆尺寸：100mm 至 200mm
电镀，或电化学沉积，是利用电沉积工艺在任何基材上镀覆一层金属的过程。例如，RDL 和铜就属于电镀工艺的一部分。
低成本无掩模化学沉积技术，可在晶圆表面沉积各种金属叠层，用作金属间互连，提高产品可靠性和性能。
激光辅助键合是一种利用激光能量将两种材料表面键合在一起的互连方法。
多种焊锡沉积技术用于形成 WLCSP 和倒装芯片互连的焊锡凸点。
晶圆级封装是将芯片或各种无源器件贴装在晶圆表面的工艺。
晶圆减薄是指为最终封装中的芯片减薄晶圆背面的过程。
利用蒸发或溅射技术在晶圆背面应用各种金属叠层以提高芯片性能。
晶圆切割是指利用高精度的方法将晶圆上的芯片一个个分开分离的过程。
