1. 开始:
该工艺的目标是重新分布布置在绝缘层上的连接点。工艺首先在绝缘层表面沉积一层钝化层。
2. 种子层:
在基体表面沉积一层种子层,通常由溅射或蒸发金属形成,用于建立新的连接可能性。
3. 光刻胶:
在种子层上涂覆一层对光敏感的有机材料——光刻胶,用于下一步光刻工艺中的图形遮罩。
4. 光刻:
利用光照对光刻胶进行曝光,以生成新的连接图形。根据光的极性不同,材料在受光照影响时会出现不同的反应,例如软化或硬化。
5. 电镀:
在已遮罩的区域内,通过电镀工艺在种子层上沉积一层薄金属层,例如铜或其他导电材料。
6. 去胶:
通过光刻工艺形成的掩膜将在本步骤中从基体上去除,以便在下一工艺中对种子层进行进一步处理。
7. 蚀刻:
移除不需要的材料(本步骤中为种子层),使种子层与电镀铜层尺寸完全一致。
8. 钝化:
沉积钝化层。该层用于在下一步光刻工艺中的图形遮罩之后,实现对新布设的电连接的隔离保护。
9. 光刻:
这是本工艺示例中的第二次图形遮罩。在特定位置上,钝化层被去除,以为凸点下金属化(UBM)创建新的开口区域。
10. 无电沉积凸点下金属化(UBM):
在钝化层之间已开口的区域内沉积多层金属,用于构建适用于不同应用的集成电路结构。
11. 焊球:
可在UBM层上放置焊点或铜柱,用于后续的应用,例如倒装芯片封装。