焊锡凸点服务

PacTech采用化学镀镍工艺来沉积底部凸起金属(UBM),并使用三种不同的技术来沉积/返工焊球:

  • 使用 SB² 技术的单颗激光喷射焊料

  • 使用Ultra-SB²技术的焊球转移
  • 焊料球返工 (去球和重球)

选择这些焊料沉积技术取决于产品类型、凸点高度要求、焊盘间距和需要凸起的数量。

倒装芯片凸点和晶圆级芯片级封装凸点概述:

晶圆凸点通常分为两个不同的类别:倒装芯片(FC) 凸点和晶圆级芯片级封装 (WLCSP)凸点 。这种分类及其相关术语部分取决于焊料凸点的尺寸和用于创建凸点的设备类型。

“倒装芯片凸点”是指半导体晶圆上的凸点,其高度范围为 50 至 200 µm,通常使用底层填充材料将芯片和基板组装在一起。

“晶圆级芯片级封装凸点”是指高度范围为 200 至 500 µm 的凸点,通常在组装过程中不使用底层填充材料。

Solder Ball Mounting

晶圆级封装服务

电镀

电镀,或电化学沉积,是利用电沉积工艺在任何基材上镀覆一层金属的过程。例如,RDL 和铜就属于电镀工艺的一部分。

化镀

低成本无掩模化学沉积技术,可在晶圆表面沉积各种金属叠层,用作金属间互连,提高产品可靠性和性能。

激光辅助键合

激光辅助键合是一种利用激光能量将两种材料表面键合在一起的互连方法。

焊锡凸点技术

多种焊锡沉积技术用于形成 WLCSP 和倒装芯片互连的焊锡凸点。

晶圆级组件封装

晶圆级封装是将芯片或各种无源器件贴装在晶圆表面的工艺。

晶圆减薄

晶圆减薄是指为最终封装中的芯片减薄晶圆背面的过程。

晶圆背面金属化

利用蒸发或溅射技术在晶圆背面应用各种金属叠层以提高芯片性能。

晶圆切割

晶圆切割是指利用高精度的方法将晶圆上的芯片一个个分开分离的过程。