化学电镀 – 在晶圆上进行无掩模化学沉积，作为金属间连接或提高产品可靠性。
电镀是使用电沉积法在任何基材上为物体镀上一层金属的过程。
电镀铜柱，带有可选的镍扩散屏障和锡银帽，以实现低成本和细间距的倒装芯片互连。
将带有金属和电介质层的芯片上的焊盘重新布置到其他位置，以满足后续的封装规则。
我们提供各种焊料沉积技术，以形成用于晶圆级芯片级封装（WLCSP）和倒装芯片互连的焊锡凸点。
激光辅助键合是一种通过激光能量将两种材料表面键合在一起的互连方法。
我们提供晶圆级的组件封装，通过将裸芯片、集成电路芯片或各种无源器件例如电容器直接贴附于晶圆表面上。
通过高质量的机械抛光和化学应力消除，去除晶圆背面的材料，使最终封装中的芯片更薄。
通过蒸发或溅射技术在晶圆背面沉积多种金属叠层，以提高芯片性能。
晶圆切割是指将晶圆上的硅芯片通过机械锯片的方式分离成一个个独立的芯片。
晶圆减薄可以在多个方面为电子设备带来益处：
降低热阻
增强可靠性
减小整体封装高度, 最大限度地减少由硅芯片和电路板材料热膨胀系数 (CTE) 不匹配所引起的芯片应力。
最常见的晶圆薄化技术是机械研磨。该技术通过两步过程从晶圆的背面去除硅：先粗磨再细磨。这是采用一种含有特定尺寸的金刚石颗粒的研磨工具来执行的。粗磨阶段通常可以完成背面研磨的 90% 左右，显著减小晶圆厚度。然而，粗磨也会产生微裂纹并损伤硅晶格。细磨阶段则用于完成背面研磨过程的剩余部分，并去除粗磨造成的的部分损伤。
电镀，或电化学沉积，是利用电沉积工艺在任何基材上镀覆一层金属的过程。例如，RDL 和铜就属于电镀工艺的一部分。
低成本无掩模化学沉积技术，可在晶圆表面沉积各种金属叠层，用作金属间互连，提高产品可靠性和性能。
激光辅助键合是一种利用激光能量将两种材料表面键合在一起的互连方法。
多种焊锡沉积技术用于形成 WLCSP 和倒装芯片互连的焊锡凸点。
晶圆级封装是将芯片或各种无源器件贴装在晶圆表面的工艺。
晶圆减薄是指为最终封装中的芯片减薄晶圆背面的过程。
利用蒸发或溅射技术在晶圆背面应用各种金属叠层以提高芯片性能。
晶圆切割是指利用高精度的方法将晶圆上的芯片一个个分开分离的过程。
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