再配線層(RDL)の形成

多くのダイでは、フリップチップやウェハレベルのチップスケールパッケージ用に設計されておらず、パッドが外周部に配置されているケース(ペリフェラル型など)が見受けられます。またこのケースではパッド自身、ワイヤーボンディング用に設計されているため、サイズがはんだバンプ用としては小さすぎることが多くあります。これらのパッドを外周部からチップ上の別の場所に再配置しパッドを大きくすることで、はんだボールによる実装(フリップチップまたはWLCSP)が可能になります。

再配線層(RDL)の使用により、チップの全体をパッドのは位置エリアとして活用できるため、面積の削減、I/O配置の共通化、よりシンプルで安価な基板の利用などが可能になります。再配線は、ウェーハ上へのパッシベーション層の形成、再配置を行うための金属配線の形成、などの工程を経て行われます。

再配線層(RDL)の形成プロセス例