レーザーアシストボンディングマシン – LAPLACE ^®

局所的なレーザー加熱機構により、数ミクロンの配線を液状化しリフローするために、基板全体をリフロー温度まで加熱することなく、配線の気になる部分に選択的に温度を加えることが可能です。カスタマイズされたボンドツールとレーザー技術により、ピックアンドプレースとアセンブリリフロー加熱を高精度<5µmでシングルステップで実現します。局所加熱により大型ダイの確実な接合を実現し、In-situリフローにより300μmの超小型ダイのアセンブリをサポートします。

また、独自の温度制御機構により、チップや部品の過加熱、基板の反り、リフローの繰り返しを防止します。