電気メッキサービス

WLCSP (Wafer Level Chip Scale Packaging) は、マイクロエレクトロニクスパッケージの小型化、薄型化の要求により、普及が進んでいます。WLCSPは、従来のワイヤーボンドやインターポーザ・パッケージング技術に比べ、より小さなフォームファクタ、電気性能の向上、比較的シンプルな構造を可能にします。パックテックは、RDLや銅柱めっきなど、最先端のウェハバンピングとWLCSPのソリューションを提供しています。

  • バンプ径25ミクロンまでの銅ピラーバンピング

  • ピラー用メタルスタック Cu, Cu/SnAg ,Cu/Ni/SnAg

  • バンプオンパッドおよびバンプオンポリマープロセス
  • 単層および多層のCu再分配と、複数のポリマー再活性化材料から選択可能
  • シリコン、ガラス、GaN基板、100mm～200mmウェハに適用可能
RDL Redistribution Layer

ウエハーレベルパッケージングサービス

電気メッキサービス

電気めっき、または電気化学的析出は、任意の基板上の金属（複数可）の層で対象物をコーティングするために電解を使用するプロセスである。例えば、RDLや銅はこのプロセスの一部である。

無電解メッキサービス

ワイヤーボンディングやはんだボールなど実装方法ごとに適しためっきをパッド上に形成します。ウェーハプロセスかつマスクレスのため低コストでの成膜が可能です。

レーザーアシストボンディング

レーザーアシストボンディングは、レーザーエネルギーによって2つの材料の表面を結合させる接合方法である。

はんだボール実装

様々なパッケージ(WLCSP, フリップチップなど)上にはんだバンプを形成します。

部品実装

ウェーハの表面にダイや受動部品などコンポーネントを実装します。

バックグラインド

ダイの薄型化のためウェーハ裏面を研削します。

バックサイドメタル

ウェーハ裏面にバックサイドメタルを形成します。

ダイシング

ウェーハからダイを切り出し、個片化します。ダイシングブレードを使用します。