はんだ/ワイヤーボンディングの接合性改善や製品の信頼性向上のために、パッド上に金属スタックをマスクレスで形成します。
ウェハー/基板上にRDLなどの金属配線(複層可)を形成します。
オプションでNi拡散バリアやSnAgキャップを形成することが可能です。低コスト、ファインピッチ対応。
チップのパッド上に金属配線と絶縁層を形成し、パッドを他の場所に再配置することで実装性を向上させます。
WLCSPやフリップチップの接続用のはんだバンプを形成します。
レーザーを用いて低熱ストレスでの部品/チップ実装を実現します。
ウェーハ上にダイやチップ、コンデンサなどの各種部品実装を行います。
機械研磨とケミカルストレスリリーフにより、ウェーハ裏面の研削を行います。
ウェーハ裏面への蒸着・スパッタリングによる各種金属膜の形成を行います。
ウェハー状態からシリコンチップ(ダイ)を機械的に切り出します。
接触抵抗や放熱性など、チップの性能を高めるためにウェーハ裏面に金属層を形成することが効果的であることが分かっています。PacTech Asiaでは、ウェーハ裏面のメタライゼーションに電子ビーム蒸着技術を採用しています。この技術の利点としては蒸着スピードと低コンタミネーションが挙げられます。
ウェーハ間およびウェーハ全体の金属厚みばらつきは20%未満です。お客様のご要望に応じて、鏡面仕上げやマット仕上げのオプションも提供しています。
電気めっき、または電気化学的析出は、任意の基板上の金属(複数可)の層で対象物をコーティングするために電解を使用するプロセスである。例えば、RDLや銅はこのプロセスの一部である。
ワイヤーボンディングやはんだボールなど実装方法ごとに適しためっきをパッド上に形成します。ウェーハプロセスかつマスクレスのため低コストでの成膜が可能です。
レーザーアシストボンディングは、レーザーエネルギーによって2つの材料の表面を結合させる接合方法である。
様々なパッケージ(WLCSP, フリップチップなど)上にはんだバンプを形成します。
ウェーハの表面にダイや受動部品などコンポーネントを実装します。
ダイの薄型化のためウェーハ裏面を研削します。
ウェーハ裏面にバックサイドメタルを形成します。
ウェーハからダイを切り出し、個片化します。ダイシングブレードを使用します。