はんだ/ワイヤーボンディングの接合性改善や製品の信頼性向上のために、パッド上に金属スタックをマスクレスで形成します。
ウェハー/基板上にRDLなどの金属配線(複層可)を形成します。
オプションでNi拡散バリアやSnAgキャップを形成することが可能です。低コスト、ファインピッチ対応。
チップのパッド上に金属配線と絶縁層を形成し、パッドを他の場所に再配置することで実装性を向上させます。
WLCSPやフリップチップの接続用のはんだバンプを形成します。
レーザーを用いて低熱ストレスでの部品/チップ実装を実現します。
ウェーハ上にダイやチップ、コンデンサなどの各種部品実装を行います。
機械研磨とケミカルストレスリリーフにより、ウェーハ裏面の研削を行います。
ウェーハ裏面への蒸着・スパッタリングによる各種金属膜の形成を行います。
ウェハー状態からシリコンチップ(ダイ)を機械的に切り出します。
26 – 29 May 2026
Orlando, USA
809
3 – 4 Jun 2026
Grenoble, France
To be confirmed
9 – 11 Jun 2026
Nuremberg, Germany
5-110
9 – 11 Sept 2026
Helsinki, Finland
14 – 16 Oct 2026
Putrajaya, Malaysia
5 – 6 Nov 2026
Sheraton Hsinchu Hotel, Taiwan
10 – 13 Nov 2026
Munich, Germany