はんだ/ワイヤーボンディングの接合性改善や製品の信頼性向上のために、パッド上に金属スタックをマスクレスで形成します。
ウェハー/基板上にRDLなどの金属配線（複層可）を形成します。
オプションでNi拡散バリアやSnAgキャップを形成することが可能です。低コスト、ファインピッチ対応。
チップのパッド上に金属配線と絶縁層を形成し、パッドを他の場所に再配置することで実装性を向上させます。
WLCSPやフリップチップの接続用のはんだバンプを形成します。
レーザーを用いて低熱ストレスでの部品/チップ実装を実現します。
ウェーハ上にダイやチップ、コンデンサなどの各種部品実装を行います。
機械研磨とケミカルストレスリリーフにより、ウェーハ裏面の研削を行います。
ウェーハ裏面への蒸着・スパッタリングによる各種金属膜の形成を行います。
ウェハー状態からシリコンチップ（ダイ）を機械的に切り出します。
ウェーハバンピングのプロセスからの視点では、チップは主にFC（フリップチップバンピング）とWLCSP（ウェーハレベルチップスケールパッケージ）の2種類に分類できることが多く、これははんだバンプのサイズとバンプを形成するために使用される装置の種類に基づいています。
「FC」では、はんだバンプの高さが50～200μm で、後工程でダイと基板の間にアンダーフィル材を使用して組み立てられ、
「WLCSP」では、はんだバンプは高さ200～500µmで、後工程ではアンダーフィル材を使用せずに組み立てられるケースが多く見受けられます。
ウェーハバンピングプロセスの基本的な流れとしては、まずウェーハのパッド上に無電解めっきでバリアメタル(Under-Bump Metallization：UBM)を形成し、次にはんだボールを載せ、リフローします。
