はんだボール実装サービス

製品の状態に応じ3つの異なる技術ではんだバンプを形成/リワークします。

これらプロセスの選択は、製品の種類、バンプ高さの要求、ピッチ、はんだ量などに基づいて行われます。

フリップチップとWLCSPのはんだバンプ概要

フリップチップ（FC）とウェーハレベルチップスケールパッケージ（WLCSP）のウェーハバンピングでは、はんだバンプサイズと付随する実装プロセスで異なる仕様が選ばれる事が多く見られます。

「フリップチップ」では、高さ 50～200μm のバンプを形成し、通常実装後にアンダーフィル材を使用するケースが多く、「WLCSP」では、高さ200～500μmのバンプを形成し、実装後にアンダーフィルを使用しないケースが多く見受けられます。

電気めっき、または電気化学的析出は、任意の基板上の金属（複数可）の層で対象物をコーティングするために電解を使用するプロセスである。例えば、RDLや銅はこのプロセスの一部である。

ワイヤーボンディングやはんだボールなど実装方法ごとに適しためっきをパッド上に形成します。ウェーハプロセスかつマスクレスのため低コストでの成膜が可能です。

レーザーアシストボンディングは、レーザーエネルギーによって2つの材料の表面を結合させる接合方法である。

様々なパッケージ(WLCSP, フリップチップなど)上にはんだバンプを形成します。

ウェーハの表面にダイや受動部品などコンポーネントを実装します。

ダイの薄型化のためウェーハ裏面を研削します。

ウェーハ裏面にバックサイドメタルを形成します。

ウェーハからダイを切り出し、個片化します。ダイシングブレードを使用します。