晶圓金屬鍍層服務

為了改善芯片性能,例如降低接觸電阻和增強散熱,晶圓背面金屬化工藝被證明是一種非常有效的方法。PacTech Asia 利用電子束蒸發技術進行晶圓背面金屬化。 該技術的優點在于速度快且汙染低,因為只有電子束接觸源材料。

我們具備利用蒸發工藝在晶圓上鍍金屬的能力,金屬厚度的片間均勻性和整體均勻性均能控制在小于 20% 的變化範圍內 (包括晶圓與晶圓之間以及整個晶圓內)。 這種工藝利用電子束槍 (e-gun) 蒸發源, 以控制厚度在晶圓上沈積單層或多層薄金屬膜。同時,我們還可根據客戶需求提供鏡面和啞光兩種表面處理選項。

晶圓級封裝服務

電鍍

電鍍,或電化學沈積,是利用電沈積工藝在任何基材上鍍覆一層金屬的過程。例如,RDL 和銅就屬于電鍍工藝的一部分。

化鍍

低成本無掩模化學沈積技術,可在晶圓表面沈積各種金屬疊層,用作金屬間互連,提高産品可靠性和性能。

激光輔助鍵合

激光輔助鍵合是一種利用激光能量將兩種材料表面鍵合在一起的互連方法。

焊錫凸點技術

多種焊錫沈積技術用于形成 WLCSP 和倒裝芯片互連的焊錫凸點。

晶圓級組件封裝

晶圓級封裝是將芯片或各種無源器件貼裝在晶圓表面的工藝。

晶圓減薄

晶圓減薄是指為最終封裝中的芯片減薄晶圓背面的過程。

晶圓金屬鍍層

利用蒸發或濺射技術在晶圓背面應用各種金屬疊層以提高芯片性能。

晶圓切割

晶圓切割是指利用高精度的方法將晶圓上的芯片一個個分開分離的過程。