化學電鍍 – 在晶圓上進行無掩模化學沈積，作為金屬間連接或提高産品可靠性。
電鍍是使用電沈積法在任何基材上為物體鍍上一層金屬的過程。
電鍍銅柱，帶有可選的鎳擴散屏障和錫銀帽，以實現低成本和細間距的倒裝芯片互連。
將帶有金屬和電介質層的芯片上的焊盤重新布置到其他位置，以滿足後續的封裝規則。
我們提供各種焊料沈積技術，以形成用于晶圓級芯片級封裝（WLCSP）和倒裝芯片互連的焊錫凸點。
激光輔助鍵合是一種通過激光能量將兩種材料表面鍵合在一起的互連方法。
我們提供晶圓級的組件封裝，通過將裸芯片、集成電路芯片或各種無源器件例如電容器直接貼附于晶圓表面上。
通過高質量的機械抛光和化學應力消除，去除晶圓背面的材料，使最終封裝中的芯片更薄。
通過蒸發或濺射技術在晶圓背面沈積多種金屬疊層，以提高芯片性能。
晶圓切割是指將晶圓上的矽芯片通過機械鋸片的方式分離成一個個獨立的芯片。
隨著先進封裝技術的發展，業界對封裝尺寸的需求不斷提高，要求更小的間距和凸點直徑，同時還要保持相同的封裝高度。銅柱凸起技術可以滿足減小封裝尺寸的需求，同時具有更優異的電遷移性能，並帶來其他優勢，例如符合 RoHS 標准、更高的成本效益和更短的生産周期。
PacTech 提供適用于細微間距倒裝芯片和 WLCSP 封裝的銅柱凸起解決方案，我們的銅柱産品系列具有多種表面處理，具有各自的優勢：
Cu Pillar X1 – 基本款銅柱，適用于細微間距倒裝芯片
Cu Pillar X2 – 帶焊帽的銅柱，具有更好的服帖性
Cu Pillar X3 – 帶有鎳擴散阻擋層的銅柱
Cu Pillar X3en – 具有 ENIG 表面的銅柱，提高可焊性以及耐腐蝕性
我們的銅柱可選擇PI等鈍化層，適用于5G和射頻、汽車、消費品、電源控制器和傳感器等各種應用。
電鍍，或電化學沈積，是利用電沈積工藝在任何基材上鍍覆一層金屬的過程。例如，RDL 和銅就屬于電鍍工藝的一部分。
低成本無掩模化學沈積技術，可在晶圓表面沈積各種金屬疊層，用作金屬間互連，提高産品可靠性和性能。
激光輔助鍵合是一種利用激光能量將兩種材料表面鍵合在一起的互連方法。
多種焊錫沈積技術用于形成 WLCSP 和倒裝芯片互連的焊錫凸點。
晶圓級封裝是將芯片或各種無源器件貼裝在晶圓表面的工藝。
晶圓減薄是指為最終封裝中的芯片減薄晶圓背面的過程。
利用蒸發或濺射技術在晶圓背面應用各種金屬疊層以提高芯片性能。
晶圓切割是指利用高精度的方法將晶圓上的芯片一個個分開分離的過程。
