化學電鍍 – 在晶圓上進行無掩模化學沈積，作為金屬間連接或提高産品可靠性。
電鍍是使用電沈積法在任何基材上為物體鍍上一層金屬的過程。
電鍍銅柱，帶有可選的鎳擴散屏障和錫銀帽，以實現低成本和細間距的倒裝芯片互連。
將帶有金屬和電介質層的芯片上的焊盤重新布置到其他位置，以滿足後續的封裝規則。
我們提供各種焊料沈積技術，以形成用于晶圓級芯片級封裝（WLCSP）和倒裝芯片互連的焊錫凸點。
激光輔助鍵合是一種通過激光能量將兩種材料表面鍵合在一起的互連方法。
我們提供晶圓級的組件封裝，通過將裸芯片、集成電路芯片或各種無源器件例如電容器直接貼附于晶圓表面上。
通過高質量的機械抛光和化學應力消除，去除晶圓背面的材料，使最終封裝中的芯片更薄。
通過蒸發或濺射技術在晶圓背面沈積多種金屬疊層，以提高芯片性能。
晶圓切割是指將晶圓上的矽芯片通過機械鋸片的方式分離成一個個獨立的芯片。
許多芯片並沒有針對倒裝芯片或晶圓級芯片級封裝進行設計。 這些芯片的焊盤通常位于芯片邊緣的一圈，專為引線鍵合工藝設計，因此往往尺寸過小，無法用于焊料凸起。 通過將這些焊盤從芯片邊緣重新配置或分布到芯片的其他位置，就可以實現晶圓凸起 (倒裝芯片或 WLCSP) 封裝。
使用重新布線層 (RDL) 技術可以利用芯片更大的面積，從而顯著節省空間，實現統一的 I/O 布局，並能采用更簡單、更低成本的基板。 重新布線的第一步工藝是在晶圓上沈積電介質層以增強芯片鈍化，然後通過金屬走線將焊盤引至新的位置。
電鍍，或電化學沈積，是利用電沈積工藝在任何基材上鍍覆一層金屬的過程。例如，RDL 和銅就屬于電鍍工藝的一部分。
低成本無掩模化學沈積技術，可在晶圓表面沈積各種金屬疊層，用作金屬間互連，提高産品可靠性和性能。
激光輔助鍵合是一種利用激光能量將兩種材料表面鍵合在一起的互連方法。
多種焊錫沈積技術用于形成 WLCSP 和倒裝芯片互連的焊錫凸點。
晶圓級封裝是將芯片或各種無源器件貼裝在晶圓表面的工藝。
晶圓減薄是指為最終封裝中的芯片減薄晶圓背面的過程。
利用蒸發或濺射技術在晶圓背面應用各種金屬疊層以提高芯片性能。
晶圓切割是指利用高精度的方法將晶圓上的芯片一個個分開分離的過程。
