晶圓級重新布線層 (RDL) 服務

許多芯片並沒有針對倒裝芯片或晶圓級芯片級封裝進行設計。 這些芯片的焊盤通常位于芯片邊緣的一圈,專為引線鍵合工藝設計,因此往往尺寸過小,無法用于焊料凸起。 通過將這些焊盤從芯片邊緣重新配置或分布到芯片的其他位置,就可以實現晶圓凸起 (倒裝芯片或 WLCSP) 封裝。

使用重新布線層 (RDL) 技術可以利用芯片更大的面積,從而顯著節省空間,實現統一的 I/O 布局,並能采用更簡單、更低成本的基板。 重新布線的第一步工藝是在晶圓上沈積電介質層以增強芯片鈍化,然後通過金屬走線將焊盤引至新的位置。

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晶圓級封裝服務

電鍍

電鍍,或電化學沈積,是利用電沈積工藝在任何基材上鍍覆一層金屬的過程。例如,RDL 和銅就屬于電鍍工藝的一部分。

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化鍍

低成本無掩模化學沈積技術,可在晶圓表面沈積各種金屬疊層,用作金屬間互連,提高産品可靠性和性能。

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激光輔助鍵合

激光輔助鍵合是一種利用激光能量將兩種材料表面鍵合在一起的互連方法。

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焊錫凸點技術

多種焊錫沈積技術用于形成 WLCSP 和倒裝芯片互連的焊錫凸點。

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晶圓級組件封裝

晶圓級封裝是將芯片或各種無源器件貼裝在晶圓表面的工藝。

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晶圓減薄

晶圓減薄是指為最終封裝中的芯片減薄晶圓背面的過程。

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晶圓金屬鍍層

利用蒸發或濺射技術在晶圓背面應用各種金屬疊層以提高芯片性能。

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晶圓切割

晶圓切割是指利用高精度的方法將晶圓上的芯片一個個分開分離的過程。

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