電鍍服務

晶圓級芯片級封裝 (WLCSP) 技術日益普及,迎合了業界對更小型、更薄的微電子封裝需求。 與傳統的引線鍵合或互連層封裝技術相比,WLCSP 具有更小的外形尺寸、更佳的電氣性能以及更簡單的結構。 PacTech 提供先進的晶圓凸起和 WLCSP 解決方案,例如 RDL 和銅柱電鍍:

  • 銅柱凸起:凸點直徑可達 25 微米

  • 柱狀金屬層疊:Cu、Cu/SnAg、Cu/Ni/SnAg 等可選組合

  • 凸點工藝:覆焊盤 / 覆聚合物

  • 銅重新分配層:單層或多層銅層,提供多種聚合物鈍化材料選擇

  • 適用基板:矽、玻璃和氮化镓,適用晶圓尺寸:100mm 至 200mm

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晶圓級封裝服務

電鍍

電鍍,或電化學沈積,是利用電沈積工藝在任何基材上鍍覆一層金屬的過程。例如,RDL 和銅就屬于電鍍工藝的一部分。

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化鍍

低成本無掩模化學沈積技術,可在晶圓表面沈積各種金屬疊層,用作金屬間互連,提高産品可靠性和性能。

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激光輔助鍵合

激光輔助鍵合是一種利用激光能量將兩種材料表面鍵合在一起的互連方法。

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焊錫凸點技術

多種焊錫沈積技術用于形成 WLCSP 和倒裝芯片互連的焊錫凸點。

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晶圓級組件封裝

晶圓級封裝是將芯片或各種無源器件貼裝在晶圓表面的工藝。

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晶圓減薄

晶圓減薄是指為最終封裝中的芯片減薄晶圓背面的過程。

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晶圓金屬鍍層

利用蒸發或濺射技術在晶圓背面應用各種金屬疊層以提高芯片性能。

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晶圓切割

晶圓切割是指利用高精度的方法將晶圓上的芯片一個個分開分離的過程。

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