激光輔助鍵合服務

當今大多數倒裝芯片貼裝機都衍生于改進後的表面貼裝設備。這種倒裝芯片連接方法利用熱能使帶凸點的芯片回流焊接到基板上。

與直接加熱相比,激光加熱的優勢在于其高選擇性和極佳的毫秒級時間控制能力。 這與使用紅外和對流烘箱 (需要數分鍾的組裝過程) 形成鮮明對比。 通過使用激光回流焊料凸點,可以最大限度地減少封裝和基板承受的熱應力,從而允許采用對熱更敏感的新型基板和集成電路。

由于該設備概念可以同時進行芯片放置和回流焊,並且無需標准 TCB 貼裝系統使用的漫長加熱和冷卻循環,因此工藝循環時間得到改善。 此外,激光加熱工藝適用于 ACF、NCP 和焊料互連技術,展現了其高度的靈活性。

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晶圓級封裝服務

電鍍

電鍍,或電化學沈積,是利用電沈積工藝在任何基材上鍍覆一層金屬的過程。例如,RDL 和銅就屬于電鍍工藝的一部分。

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化鍍

低成本無掩模化學沈積技術,可在晶圓表面沈積各種金屬疊層,用作金屬間互連,提高産品可靠性和性能。

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激光輔助鍵合

激光輔助鍵合是一種利用激光能量將兩種材料表面鍵合在一起的互連方法。

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焊錫凸點技術

多種焊錫沈積技術用于形成 WLCSP 和倒裝芯片互連的焊錫凸點。

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晶圓級組件封裝

晶圓級封裝是將芯片或各種無源器件貼裝在晶圓表面的工藝。

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晶圓減薄

晶圓減薄是指為最終封裝中的芯片減薄晶圓背面的過程。

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晶圓金屬鍍層

利用蒸發或濺射技術在晶圓背面應用各種金屬疊層以提高芯片性能。

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晶圓切割

晶圓切割是指利用高精度的方法將晶圓上的芯片一個個分開分離的過程。

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