焊錫凸點服務

PacTech采用化學鍍鎳工藝來沈積底部凸起金屬(UBM),並使用三種不同的技術來沈積/返工焊球:

  • 使用 SB² 技術的單顆激光噴射焊料

  • 使用Ultra-SB²技術的焊球轉移

  • 焊料球返工 (去球和重球)

選擇這些焊料沈積技術取決于産品類型、凸點高度要求、焊盤間距和需要凸起的數量。

倒裝芯片凸點和晶圓級芯片級封裝凸點概述:

晶圓凸點通常分為兩個不同的類別:倒裝芯片(FC) 凸點和晶圓級芯片級封裝 (WLCSP)凸點 。這種分類及其相關術語部分取決于焊料凸點的尺寸和用于創建凸點的設備類型。

“倒裝芯片凸點”是指半導體晶圓上的凸點,其高度範圍為 50 至 200 µm,通常使用底層填充材料將芯片和基板組裝在一起。

“晶圓級芯片級封裝凸點”是指高度範圍為 200 至 500 µm 的凸點,通常在組裝過程中不使用底層填充材料。

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晶圓級封裝服務

電鍍

電鍍,或電化學沈積,是利用電沈積工藝在任何基材上鍍覆一層金屬的過程。例如,RDL 和銅就屬于電鍍工藝的一部分。

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化鍍

低成本無掩模化學沈積技術,可在晶圓表面沈積各種金屬疊層,用作金屬間互連,提高産品可靠性和性能。

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激光輔助鍵合

激光輔助鍵合是一種利用激光能量將兩種材料表面鍵合在一起的互連方法。

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焊錫凸點技術

多種焊錫沈積技術用于形成 WLCSP 和倒裝芯片互連的焊錫凸點。

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晶圓級組件封裝

晶圓級封裝是將芯片或各種無源器件貼裝在晶圓表面的工藝。

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晶圓減薄

晶圓減薄是指為最終封裝中的芯片減薄晶圓背面的過程。

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晶圓金屬鍍層

利用蒸發或濺射技術在晶圓背面應用各種金屬疊層以提高芯片性能。

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晶圓切割

晶圓切割是指利用高精度的方法將晶圓上的芯片一個個分開分離的過程。

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