化學電鍍 – 在晶圓上進行無掩模化學沈積，作為金屬間連接或提高産品可靠性。
電鍍是使用電沈積法在任何基材上為物體鍍上一層金屬的過程。
電鍍銅柱，帶有可選的鎳擴散屏障和錫銀帽，以實現低成本和細間距的倒裝芯片互連。
將帶有金屬和電介質層的芯片上的焊盤重新布置到其他位置，以滿足後續的封裝規則。
我們提供各種焊料沈積技術，以形成用于晶圓級芯片級封裝（WLCSP）和倒裝芯片互連的焊錫凸點。
激光輔助鍵合是一種通過激光能量將兩種材料表面鍵合在一起的互連方法。
我們提供晶圓級的組件封裝，通過將裸芯片、集成電路芯片或各種無源器件例如電容器直接貼附于晶圓表面上。
通過高質量的機械抛光和化學應力消除，去除晶圓背面的材料，使最終封裝中的芯片更薄。
通過蒸發或濺射技術在晶圓背面沈積多種金屬疊層，以提高芯片性能。
晶圓切割是指將晶圓上的矽芯片通過機械鋸片的方式分離成一個個獨立的芯片。
晶圓減薄可以在多個方面為電子設備帶來益處：
降低熱阻
增強可靠性
減小整體封裝高度, 最大限度地減少由矽芯片和電路板材料熱膨脹系數 (CTE) 不匹配所引起的芯片應力。
最常見的晶圓薄化技術是機械研磨。該技術通過兩步過程從晶圓的背面去除矽：先粗磨再細磨。這是采用一種含有特定尺寸的金剛石顆粒的研磨工具來執行的。粗磨階段通常可以完成背面研磨的 90% 左右，顯著減小晶圓厚度。然而，粗磨也會産生微裂紋並損傷矽晶格。細磨階段則用于完成背面研磨過程的剩余部分，並去除粗磨造成的的部分損傷。
電鍍，或電化學沈積，是利用電沈積工藝在任何基材上鍍覆一層金屬的過程。例如，RDL 和銅就屬于電鍍工藝的一部分。
低成本無掩模化學沈積技術，可在晶圓表面沈積各種金屬疊層，用作金屬間互連，提高産品可靠性和性能。
激光輔助鍵合是一種利用激光能量將兩種材料表面鍵合在一起的互連方法。
多種焊錫沈積技術用于形成 WLCSP 和倒裝芯片互連的焊錫凸點。
晶圓級封裝是將芯片或各種無源器件貼裝在晶圓表面的工藝。
晶圓減薄是指為最終封裝中的芯片減薄晶圓背面的過程。
利用蒸發或濺射技術在晶圓背面應用各種金屬疊層以提高芯片性能。
晶圓切割是指利用高精度的方法將晶圓上的芯片一個個分開分離的過程。
