鋁基半導體上的化鍍

對于鋁基集成電路，沈積化鍍鎳層的化學順序包含以下步驟：

清洗焊盤：去除可能因晶圓搬運、存放或制造工藝變化而産生的任何有機或矽基汙染物。

去除氧化物：去除鋁焊盤表面可能生成的所有天然氧化物。 這通常使用堿性蝕刻化學品進行。

鋁表面活化：最常用的濕化學系統是 “鋅化處理”，其中使用氧化鋅溶液通過電化學反應替換焊盤鋁中的一部分鋅。經驗研究表明，通過去除該鋅層然後在第二個鋅化步驟中重新形成它，可以創建更高質量的鋅層（稱為“雙鋅化”）。

銅基半導體上的化鍍

對于銅基的半導體，鎳和金的鍍液與鋁基的半導體相同。通常會使用幾個酸性清潔步驟來清除雜質，並從I/O電路板表面去除銅氧化物。銅的活化步驟類似于層壓板鍍層行業中使用的步驟，通常使用基于钯的催化劑。鍍銅半導體的專業知識在于能夠有選擇性地催化銅I/O電路板，而不激活周圍的保護層。

這些化鍍過程本質上成本較低，並且除了倒裝芯片和晶圓級芯片級封裝凸塊之外，還可以用于各種不同的應用，包括：

聚合物倒裝芯片（1-5um的鎳金 + 導電環氧樹脂）

各向異性的導電膠（10-25um高的鎳金 + ACF或ACA材料）

化鍍鎳/金概述

凸塊下金屬化層 (Under-Bump-Metallization, UBM) 是所有凸點工藝的重要組成部分。

該層通常通過物理氣相沈積 (PVD)、電鍍或化鍍沈積。 這三種