鋁基半導體上的化鍍

對于鋁基集成電路,沈積化鍍鎳層的化學順序包含以下步驟:

  • 清洗焊盤:去除可能因晶圓搬運、存放或制造工藝變化而産生的任何有機或矽基汙染物。

  • 去除氧化物:去除鋁焊盤表面可能生成的所有天然氧化物。 這通常使用堿性蝕刻化學品進行。

  • 鋁表面活化:最常用的濕化學系統是 “鋅化處理”,其中使用氧化鋅溶液通過電化學反應替換焊盤鋁中的一部分鋅。經驗研究表明,通過去除該鋅層然後在第二個鋅化步驟中重新形成它,可以創建更高質量的鋅層(稱為“雙鋅化”)。 該鋅層改變了鋁焊盤的電勢,當浸入硫酸鎳溶液中時,鎳取代該鋅並且自催化鎳反應繼續進行。只要調整鍍鎳槽的沈積時間、溫度、PH 值和化學濃度,就可以創建 1 至25 微米高的鎳結構。

  • 對于大多數應用,焊料的沈積並不立即遵循鎳沈積過程。 由于鎳表面會氧化得相當快,因此通常會在鎳頂部沈積一層薄的貴金屬薄膜來保護表面免受氧化。 與化學工藝兼容的兩種常見金屬(钯和金)可以在相同的化鍍線上使用浸沒或無電沈積工藝依次沈積。