化學電鍍 – 在晶圓上進行無掩模化學沈積，作為金屬間連接或提高産品可靠性。
電鍍是使用電沈積法在任何基材上為物體鍍上一層金屬的過程。
電鍍銅柱，帶有可選的鎳擴散屏障和錫銀帽，以實現低成本和細間距的倒裝芯片互連。
將帶有金屬和電介質層的芯片上的焊盤重新布置到其他位置，以滿足後續的封裝規則。
我們提供各種焊料沈積技術，以形成用于晶圓級芯片級封裝（WLCSP）和倒裝芯片互連的焊錫凸點。
激光輔助鍵合是一種通過激光能量將兩種材料表面鍵合在一起的互連方法。
我們提供晶圓級的組件封裝，通過將裸芯片、集成電路芯片或各種無源器件例如電容器直接貼附于晶圓表面上。
通過高質量的機械抛光和化學應力消除，去除晶圓背面的材料，使最終封裝中的芯片更薄。
通過蒸發或濺射技術在晶圓背面沈積多種金屬疊層，以提高芯片性能。
晶圓切割是指將晶圓上的矽芯片通過機械鋸片的方式分離成一個個獨立的芯片。
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