晶圆减薄服务

晶片减薄可以在几个方面给电子设备带来好处:减少热阻,改善设备性能,提高可靠性,并降低整体封装高度,最大限度地减少由于硅晶片和电路板材料之间的热膨胀系数(CTE)不匹配而产生的晶片应力。

最常见的晶圆减薄技术是机械研磨。采用两步法从晶圆背面去除硅:先粗磨,再细磨。这是用一种含有特定尺寸的金刚石颗粒的研磨工具进行的。在粗磨过程中,通常90%的背面研磨已经完成,大大降低了晶圆的厚度。粗磨会造成微裂缝,并损害硅晶格。精磨完成了背磨过程,并消除了这种损害的一部分。