ウェーハバックグラインド

ダイの薄型化は、熱抵抗/パッケージ全体の高さの低減、デバイス性能/信頼性の向上、ダイと基板材料の熱膨張係数(CTE)のミスマッチにより発生する応力の緩和など、デバイスに様々なメリットをもたらします。

薄型化の技術として最も一般的なのは機械的研磨で、粗研削と仕上げ研削の2段階のプロセスで研磨を行います。このプロセスにはダイヤモンド粒子を含んだ研削工具が使用されます。粗研削でプロセス全体の約90%程度の厚みを削ります。この工程ではウェーハ上にマイクロクラックが発生するため、仕上げ研削でこのマイクロクラックを除去し、研磨が完了します。