はんだバンプ形成
製品の状態に応じ3つの異なる技術ではんだバンプを形成/リワークします。
SB²技術によるはんだバンプ形成(1ボールずつのローカルリフロー)
Ultra-SB²によるはんだボールの一括マウント
はんだボールリワーク
これらプロセスの選択は、製品の種類、バンプ高さの要求、ピッチ、はんだ量などに基づいて行われます。
フリップチップとWLCSPのはんだバンプ概要
フリップチップ（FC）とウェーハレベルチップスケールパッケージ（WLCSP）のウェーハバンピングでは、はんだバンプサイズと付随する実装プロセスで異なる仕様が選ばれる事が多く見られます。
「フリップチップ」では、高さ 50～200μm のバンプを形成し、通常実装後にアンダーフィル材を使用するケースが多く、「WLCSP」では、高さ200～500μmのバンプを形成し、実装後にアンダーフィルを使用しないケースが多く見受けられます。
