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ウェーハバンピング2022-07-27T09:21:25+02:00

ウェーハバンピング装置

ウェーハバンピングのプロセスからの視点では、チップは主にFC(フリップチップバンピング)とWLCSP(ウェーハレベルチップスケールパッケージ)の2種類に分類できることが多く、これははんだバンプのサイズとバンプを形成するために使用される装置の種類に基づいています。

「FC」では、はんだバンプの高さが50~200μm で、後工程でダイと基板の間にアンダーフィル材を使用して組み立てられ、「WLCSP」では、はんだバンプは高さ200~500µmで、後工程ではアンダーフィル材を使用せずに組み立てられるケースが多く見受けられます。

ウェーハバンピングプロセスの基本的な流れとしては、まずウェーハのパッド上に無電解めっきでバリアメタル(Under-Bump Metallization:UBM)を形成し、次にはんだボールを載せ、リフローします。

Solder Ball Wafer Bumping
ウェハーバンピング用はんだ合金2022-03-10T14:16:39+01:00
  • SnAgCu (SAC305, SAC405, SAC105)
  • SnAg
  • PbSn 95/5, PbSn 90/10
  • AuSn 80/20
  • InSn
  • SnBi

ウェーハバンピング装置

2022-07-07T12:09:26+02:00

Ultra-SB² 300

ロボットウェーハ搬送ユニット、フラックス印刷ユニット、ボール搭載ユニット、ウェーハレベルリワークユニットの4つのユニットからなるカスタマイズ可能なはんだボールマウンター

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