レーザーアシストボンディング装置

現在のフリップチップボンダーの多くは、表面実装装置を改良したものです。通常こうしたフリップチップ方式は、熱エネルギーを利用してチップ上のはんだバンプを溶融し、基板に実装します。中でも当社の提供するレーザーアシストボンディングの利点は、ミリ秒単位での細かな熱制御と照射範囲を限定することによる加熱範囲の高い選択性です。これは工程に数分かかり、かつ基板全体を熱する赤外線や対流式オーブンとは対照的です。レーザーではんだバンプをリフローすることで、パッケージや基板に生じる熱応力を最小限に抑え、熱に敏感な基板やICの実装を可能にします。

また、熱源にレーザーを使用することで、TCBボンダのような加熱・冷却サイクルが不要で、プロセス時間の短縮が期待できます。レーザーアシストボンディングははんだに限らずACF、NCPなど様々な材料に対応しています。

Wafer Bumping

レーザーアシストボンディング装置

2022-07-07T11:36:52+02:00

LAPLACE-HT

ショットキーダイオードやバイパスダイオードなど、太陽電池向けモジュールの組み立てに適したレーザーアシストボンダー

2022-07-07T11:35:04+02:00

LAPLACE-Can

プローブカード組み立てを対象としたMEMSカンチレバー実装のためのレーザーアシストボンダー

2022-07-07T11:40:26+02:00

LAPLACE-FC

フリップチップ実装のための統合的なレーザーアシストボンディングシステム

2022-07-07T11:49:22+02:00

LAPLACE-VC

基板に対しチップを立てた状態での垂直実装が可能なレーザーアシストボンダー