LAPLACEのレーザーアシストボンディング

局所的なレーザー加熱機構により基板全体をリフロー温度まで加熱することなく、目的の配線部分に選択的に温度をかけ、リフローすることができます。カスタマイズされたボンドツールとレーザー技術を用い、ピック&プレースからレーザーリフローまでを高精度かつワンステップで実現します。大型チップから300μmのような超小型チップのアセンブリをサポートします。

また、独自の温度制御機構により、チップや部品の過加熱、基板の反りなどを防止します。

ハイライト

  • レーザーによる局所的・選択的なリフロー

  • 柔軟なレーザービーム形状
  • 低熱ストレスの常温プロセス
  • カスタマイズ可能なボンドツール
  • 高い位置精度
  • CTEミスマッチのある材料の接合に適している

LAPLACE製品ファミリー

2022-07-07T11:36:52+02:00

LAPLACE-HT

ショットキーダイオードやバイパスダイオードなど、太陽電池向けモジュールの組み立てに適したレーザーアシストボンダー

2022-07-07T11:35:04+02:00

LAPLACE-Can

プローブカード組み立てを対象としたMEMSカンチレバー実装のためのレーザーアシストボンダー

2022-07-07T11:49:22+02:00

LAPLACE-VC

基板に対しチップを立てた状態での垂直実装が可能なレーザーアシストボンダー

2022-07-07T11:40:26+02:00

LAPLACE-FC

フリップチップ実装のための統合的なレーザーアシストボンディングシステム