{"id":8554,"date":"2022-11-14T07:23:36","date_gmt":"2022-11-14T07:23:36","guid":{"rendered":"https:\/\/test.pactech.com\/wafer-level-packaging-dienstleistungen\/laser-assisted-bonding-service\/"},"modified":"2025-09-23T05:39:57","modified_gmt":"2025-09-23T03:39:57","slug":"lasergestuetztes-bonding-dienstleistung","status":"publish","type":"page","link":"https:\/\/pactech.com\/de\/wafer-level-packaging-dienstleistungen\/lasergestuetztes-bonding-dienstleistung\/","title":{"rendered":"Lasergest\u00fctztes Bonding f\u00fcr das Wafer Level Packaging"},"content":{"rendered":"

Lasergest\u00fctztes Bonding f\u00fcr das Wafer Level Packaging<\/h1><\/div><\/div><\/div>

Lasergest\u00fctztes Bonding f\u00fcr das Wafer Level Packaging<\/h1><\/div><\/div><\/div>

Die meisten der heutigen Flip-Chip-Bonder stammen von modifizierten Oberfl\u00e4chenmontageger\u00e4ten ab. Bei dieser Methode der Flip-Chip-Befestigung wird thermische Energie verwendet, um den gebumpten Chip wieder mit dem Substrat zu verbinden.\u00a0 Der Vorteil der Lasererw\u00e4rmung gegen\u00fcber der direkten thermischen Erw\u00e4rmung liegt in der hohen Selektivit\u00e4t mit einer extrem guten Zeitsteuerung im Millisekundenbereich. Dies steht im Gegensatz zu Infrarot- und Konvektions\u00f6fen, bei denen der Montageprozess Minuten dauert. Durch den Einsatz des Lasers zum Reflow der L\u00f6tstellen wird die thermische Belastung des Geh\u00e4uses und des Substrats minimiert, so dass neue Substrate und neue ICs, die thermisch empfindlicher sind, eingesetzt werden k\u00f6nnen.<\/p>\n

Die Zykluszeiten des Prozesses werden durch das Anlagenkonzept, bei dem die Chipbest\u00fcckung und der Reflowprozess gleichzeitig durchgef\u00fchrt werden, und durch das Fehlen der langen Heiz- und K\u00fchlzyklen von Standard-TCB-Bondersystemen verbessert. Daneben verdeutlicht die Prozessf\u00e4higkeit f\u00fcr ACF-, NCP- und L\u00f6tverbindungstechniken die hohe Flexibilit\u00e4t des Laserheizprozesses.<\/p>\n<\/div>

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\"Laser<\/span><\/div><\/div><\/div><\/div>
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WAFER LEVEL PACKAGING-Dienstleistungen<\/h2><\/span>
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Elektrische Beschichtung<\/h3><\/div>
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Die Galvanotechnik oder elektrochemische Abscheidung ist ein Verfahren, bei dem ein Gegenstand auf einem beliebigen Substrat mit einer Metallschicht beschichtet wird. RDL und Kupfers\u00e4ulen zum Beispiel geh\u00f6ren zu diesem Verfahren.<\/p>\n<\/div>

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Chemische Beschichtung<\/h3><\/div>
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Kosteng\u00fcnstige, maskenlose chemische Abscheidung verschiedener Metalle auf der Waferoberfl\u00e4che, die als intermetallische Verbindung dienen oder die Zuverl\u00e4ssigkeit und Leistung des Produkts verbessern.<\/p>\n<\/div>

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Laserunterst\u00fctztes Bonden<\/h3><\/div>
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Das lasergest\u00fctzte Bonden ist ein Verbindungsverfahren, bei dem zwei Materialoberfl\u00e4chen mit Hilfe von Laserenergie miteinander verbunden werden.<\/p>\n<\/div>

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Solder Balling<\/h3><\/div>
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Verschiedene Technologien zur Lotabscheidung zur Bildung von Lotkugeln f\u00fcr WLCSP- und Flip-Chip-Verbindungen.<\/p>\n<\/div>

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Montage von Bauteilen auf Wafer-Ebene<\/h3><\/span>
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Montage auf Wafer-Ebene durch Aufbringen von Chips oder verschiedenen passiven Komponenten auf der Wafer-Oberfl\u00e4che.<\/p>\n<\/div>

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Wafer-Ausd\u00fcnnung<\/p><\/h3><\/div>
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Ausd\u00fcnnen der Waferr\u00fcckseite f\u00fcr Stanzformen in der Endverpackung.<\/p>\n<\/div>

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Wafer-Metallbeschichtung<\/h3><\/div>
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Anwendung verschiedener Metallbeschichtungen durch Aufdampfen oder Sputtern auf der Waferr\u00fcckseite zur Verbesserung der Chipleistung.<\/p>\n<\/div>

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Wafer-Dicing<\/h3><\/div>
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Hochpr\u00e4zise und genaue Vereinzelung von Chips auf einem Wafer.<\/p>\n<\/div>\n

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Gehe zum Wafer-Dicing<\/span><\/a><\/div><\/div><\/div>